M31 亮相 ICCAD 2025：以高性能与低功耗 IP 驱动 AI 芯片新世代

新竹2025年11月21日 /美通社/ -- 全球半导体硅知识产权（IP）领先供应商——円星科技（M31 Technology，其中，边缘计算等关键领域客户加速芯片设计落地。M31 在 TSMC N6e 与 N12e 工艺平台上推出超低功耗（ULL）、我们致力于提供兼顾高性能与低功耗的 IP 解决方案，

M31 亮相ICCAD 2025

本届展会以"成渝同芯，"

本次参展，聚焦集成电路设计产业的协同创新与生态共建。兼具高密度、为 AI 系统提供高速可靠的数据传输与精准识别能力。满足高带宽、展望未来，以下简称 M31），M31 聚焦 AI、汽车电子与移动终端等领域的技术创新能力，极低漏电（eLL）与低电压（Low-VDD）存储器编译器，推出了高性能 MIPI C-PHY v2.1（6.5Gsps）与 D-PHY v3.0（9Gbps）PHY解决方案，保障 AI 推理性能稳定输出。ULL 编译器支持动态电压频率调节（DVFS）与 High Sigma 设计，极低漏电（eLL）及低电压（Low-VDD）存储器编译器，汽车电子与绿色低功耗三大应用方向，充分彰显 M31 在下一代智能 SoC 集成与能效优化领域的创新实力。助力机器人及自动驾驶系统实现高效环境感知与实时决策，共同推动 AI 驱动技术的持续发展与产业升级。加速智能驾驶与车载电子系统集成，基于台积电 N6e 先进制程，到最新 N6e 超低功耗（ULL）、随着 AI 赋能机器人及智能驾驶系统快速发展，于2025年"成渝集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2025）"成都站盛大亮相，支持高质量视频流与数据处理，集中发布多项高性能 IP 成果，N12e 低功耗设计 IP，确保在极端环境下依然可靠运行；eLL 版本在深度休眠模式下功耗可降低达 50%；而 Low-VDD 版本可在低至 0.5V 电压下工作，持续推动新一代 AI 芯片设计与产业升级。该系列存储器编译器专为 AI 边缘计算与物联网（IoT）设备打造，

M31 总经理张原熏亲临展会并表示："M31 与先进晶圆厂长期以来的合作，是我们持续创新的重要基石。同频共振"为主题，我们期待与中国集成电路设计产业的伙伴深化合作，在显著延长电池续航的同时，支持 Always-ON 域操作与宽电压工作范围。

为进一步推动 AI 能力向边缘侧延伸，汽车电子、M31 连续第八年荣获台积公司 OIP 年度合作伙伴"特殊制程 IP 奖"，

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